Láser semiconductor infrarrojo de 980nm 200mW-4000mW

Este láser semiconductor infrarrojo tiene una longitud de onda de 980nm y una potencia de 200mW a 4000mW. Se puede utilizar para tratamientos médicos, escaneo biológico, detección de materiales, experimentos con láser, etc. Hay dos fuentes de alimentación opcionales: fuente de alimentación dividida y fuente de alimentación ajustable con pantalla digital. Podemos desarrollar láseres según los requisitos del cliente. Si tiene alguna pregunta, comuníquese con nosotros por correo electrónico.

Especificaciones
• Longitud de onda: 980nm ± 5nm
• Potencia de salida: 200mW-4000mW
• Modo espacial: multimodo
• Modo de funcionamiento: CW o modulación
• Estabilidad de apuntamiento: < 0,05 mrad
• Tamaño del haz: 6 mm
• Asimetría del haz: ≤ 1:1,5
• Divergencia del haz (ángulo completo): < 2,0 mrad
• Altura del haz: 25 mm
• Estabilidad de potencia: < 3 % cada 4 horas
• Estabilización de temperatura: TEC
• Tiempo de calentamiento: < 1 minuto
• Calidad del haz (M2): < 2
• Vida útil: 10000 horas
• Dimensiones del cabezal láser: 100 (L) x 40 (W) x 50 (H) mm³
• Fuente de alimentación: fuente de alimentación dividida, pantalla digital ajustable
• Modulación: 0-30 kHz analógica o TTL